芯片减薄技术，在叠层式芯片封装技术方面是至关重要的，因为它降低了封装贴装高度，并能够使芯片叠加而不增加叠层式芯片系统方面的总高度。智能卡和RFID是体现薄型晶元各项要求的重要部分最薄的单芯片应用形式。较薄的芯片可增加热循环可靠性，且支持薄形产品。但芯片薄到什么程度取决于晶元直径和WLP工艺，其原因是：薄的晶元表面容易产出损伤，引起微裂纹，以及在其后的操作中造成晶元破裂。由于晶元背面研磨是晶元加工工艺的最终步骤，而晶元要减薄到什么程度却受WLP工艺限制。因此，把晶元级封装看作是晶元工艺的延伸，在设计晶元工艺时应考虑到封装工艺步骤的适用范围。

 

硅与安装基板热膨胀系数匹配不良是封装焊料球在热循环试验及现场使用中产生疲劳失效的重要原因。另外，这种失效也与每个元件自身的强度如何密切相关。芯片越薄，柔性也越好，焊料球抗疲劳的性能必将得到提高。因此，将晶元减薄并由此减小芯片厚度，也是改进焊料凸点可靠性的重要措施之一。在晶元级封装加工之前减薄晶元，容易使晶元变形甚至破碎，这是不可取的。在晶元级封装加工完成之后进行晶元减薄是一种较好的办法，但实施起来比较困难。供晶元级封装制造用的晶元和减薄技术及设备正在开发之中。