膜再分布WL-CSP是当今使用最普遍的工艺。因为它的成本较低，非常适合大批量、便携式产品板级应用可靠性标准的要求。如同其它的WLP一样，薄膜再分布WL-CSP的晶元仍采用常规晶元工艺制作。在晶元送交WLP供货商之前，要对晶元进行测试，以便对电路进行分类和绘出合格电路的晶元图。晶元在再分布之前，先要对器件的布局进行评估，以确认该晶元是否适合于进行焊球再分布。

 

一种典型的再分布工艺，最终形成的焊料凸点呈面阵列布局，该工艺中，采用BCB作为再分布的介质层，Cu作为再分布连线金属，采用溅射法淀积凸点底部金属层(UBM)，丝网印刷法淀积焊膏并回流，其中底部金属层工艺对于减少金属间化合反应和提高互连可靠性来说十分关键。 

 

再分布工艺就是在器件表面重新布置I／O焊盘。图3示出了键合闪速存储器上再分布的情形。从图中可见，闪速存储器芯片四边上的原有焊盘转换成了凸点阵列。在此实例中，器件表面使用了两层介质层，中间夹有的一层再分布金属化层用于改变I／O的分布。在这工序之后，电镀上焊球凸点，于是芯片就变成了WLP产品。

 

将引线键合焊盘设计再分布成焊球阵列焊盘的缺点是：生产的WLP产品在器件设计、结构或制造成本方面不可能是最佳。但是，一旦证明其技术上可行，那么就可对这种电路重新设计，于是就可以消除外加再分布。这种情况已成共识。为此，特别定义了一种双相判定程序。下一代的变化可能是在芯片最后金属层内集成再分布层，或者是一种用以改进性能的最短信号线的新设计。

 

重新设计可能需要补充新的软件工具。由于重新设计可消除外加的再分布工序和相关工艺，因此，重新设计的信号、电源和接地线的结构非常低廉。聚合物用于硅片平坦化，对芯片提供必要的保护，以及用作标准的表面涂敖。对于薄膜再分布WLP来说，单层聚合物WLP方法不失为一种成本--效益更佳的设计。