MOS英文全称为金属-氧化物-半导体,描写了集成电路中的构造,即:在必然构造的半导体器材上,加上二氧化硅和金属,构成栅极。这兩种型态的构造没有太大的差異,仅仅耗尽型MOS一...
场效应结晶体管(FieldEffect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热,也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体机件。存正在输出电阻高(10^8~10^9)、噪音...
1、产品线是否丰富,有没有同行的成功案例 如DC/DC电源模块,是否能提供像半砖,1/4砖,1/8砖,1/16砖这种工业产品,如不能提供,说明企业研发实力和规模是不大的。定制产品的能力,...
芯片减薄技术,在叠层式芯片封装技术方面是至关重要的,因为它降低了封装贴装高度,并能够使芯片叠加而不增加叠层式芯片系统方面的总高度。智能卡和RFID是体现薄型晶元各项要求...
晶圆级工艺技术,如微小间距晶圆凸点、引线焊盘重分布和集成无源元件等为很多应用提供了方便的解决方案。目前,许多IC和MEMS的器件已经应用了这些技术。利用这些技术,可以在晶...
在倒装芯片互连方式中,UBM层是IC上金属焊盘和金凸点或焊料凸点之间的关键界面层。该层是倒装芯片封装技术的关键因素之一,并为芯片的电路和焊料凸点两方面提供高可靠性的电学...
引线键合自50年前诞生以来,一直被认为是一种通用的、可靠的互连技术。但是,随着移动通信、因特网电子商务无线接入系统及蓝牙系统与伞球定位系统(GPS)技术的高速发展,手机已成...
膜再分布WL-CSP是当今使用最普遍的工艺。因为它的成本较低,非常适合大批量、便携式产品板级应用可靠性标准的要求。如同其它的WLP一样,薄膜再分布WL-CSP的晶元仍采用常规晶元工艺...
晶元级封装 WLP的最初萌芽是由用于移动电话的低速I/O(low-I/O)、低速晶体管元器件制造带动起来的,如无源的片上感应器和功率传输ICs等,目前WLP正处于发展阶段,受到蓝牙、GPS(全球...
MOS管的通/断原理是:MOS管工作在恒流区和夹断区,栅源极之间的电压,控制漏源极之间的电流,当栅源之间电压一定时,漏源之间电流一定。 一般情况下,我们把PMOS用作上管、NMOS做下...